科研实验专用氧化铟靶材In2O3铟靶材In磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

      氧化铟（In2O3）为白色或淡黄色无定型粉末，加热转变为红褐色；是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。

产品参数

中文名称：氧化铟

中文别名：氧化铟(III); 三氧化二铟

英文名称：Indium Oxide 

CAS号：

分子式：In2O3

分子量：277.63400

质量：277.79200

PSA：43.37000

外观与性状：白色至淡黄色粉末

密度：7.18g/cm3

熔点：2000ºC

沸点：850ºC

稳定性：稳定。 不易燃。 与酸不相容。

储存条件：库房通风低温干燥

      铟（In）是银白色并略带淡蓝色的金属 ，质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有延展性，可压成片，易熔金属；液态铟能浸润玻璃，并且会粘附在接触过的表面上留下黑色的痕迹。天然铟有两种主要同位素，其一为In-113为稳定核素，In-115为β- 衰变。从常温到熔点之间，铟与空气中的氧作用缓慢，表面形成极薄的氧化膜（In2O3），温度更高时，与活泼非金属作用。大块金属铟不与沸水和碱溶液反应，但粉末状的铟可与水缓慢的作用，生成氢氧化铟。铟与冷的稀酸作用缓慢，易溶于浓热的无机酸和乙酸、草酸。铟能与许多金属形成合金。金属铟主要用于制造低熔合金、轴承合金、半导体、电光源等的原料。

中文名 铟         元素符号 In            原子量 114.818

沸点 2072℃     熔点 156.6℃         密度 7.31g/cm3

支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

       陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

       我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

       注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

       建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。